环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构

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	环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构
其他题名	环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构
	程凤敏; 张锦川; 贾志伟; 赵越; 周予虹; 刘峰奇; 王利军; 刘俊岐; 刘舒曼; 王占国
	2017-08-18
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2017-08-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层；步骤2：移除上波导层，在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅，形成一个双周期的环形光栅；步骤3：在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层；步骤4：在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构，刻蚀深度到达下光学限制层；步骤5：在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP：Fe；步骤6：在沟槽中填满半绝缘InP：Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极，镀金；步骤7：将衬底减薄，抛光，在衬底的背面蒸发背面金属电极；步骤8：刻蚀金属电极，制备出二级环形表面金属光栅，完成制备。
其他摘要	一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层；步骤2：移除上波导层，在上光学限制层上呈放射状向下刻蚀多条光栅，形成一个双周期的环形光栅；步骤3：在刻蚀后的上光学限制层上重新生长上波导层；步骤4：在上波导层上向下刻蚀一环形脊结构，刻蚀深度到达下光学限制层；步骤5：在刻蚀后的环形脊结构的沟槽中填满半绝缘InP：Fe；步骤6：在沟槽中填满半绝缘InP：Fe的环形脊结构上蒸发正面金属电极，镀金；步骤7：将衬底减薄，抛光，在衬底的背面蒸发背面金属电极；步骤8：刻蚀金属电极，制备出二级环形表面金属光栅，完成制备。
申请日期	2017-06-20
专利号	CN107069432A
专利状态	授权
申请号	CN201710472687.2
公开（公告）号	CN107069432A
IPC 分类号	H01S5/34 \| H01S5/343 \| H01S1/02
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90759
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	程凤敏,张锦川,贾志伟,等. 环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器结构. CN107069432A[P]. 2017-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107069432A.PDF（519KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文