Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 发光器件 | |
| 其他题名 | 发光器件 |
| 幸田伦太郎; 渡边秀辉; 仓本大; 河野俊介; 宫嶋孝夫 | |
| 2013-05-22 | |
| 专利权人 | 索尼公司 |
| 公开日期 | 2013-05-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 提供了一种发光器件，其包括：（a）通过在底部衬底上顺序地生长第一导电类型的第一化合物半导体层、由化合物半导体形成的活性层、以及第二导电类型的第二化合物半导体层来获得的层结构；（b）形成于第二化合物半导体层上的第二电极；以及（c）电连接于第一化合物半导体层的第一电极。该层结构由第二化合物半导体层的在第二化合物半导体层的厚度方向上的至少一部分形成。第一化合物半导体层具有大于0.6μm的厚度。第一化合物半导体层中形成有高折射率层，该高折射率层由具有比第一化合物半导体层的化合物半导体材料的折射率高的折射率的化合物半导体材料形成。 |
| 其他摘要 | 提供了一种发光器件，其包括：（a）通过在底部衬底上顺序地生长第一导电类型的第一化合物半导体层、由化合物半导体形成的活性层、以及第二导电类型的第二化合物半导体层来获得的层结构；（b）形成于第二化合物半导体层上的第二电极；以及（c）电连接于第一化合物半导体层的第一电极。该层结构由第二化合物半导体层的在第二化合物半导体层的厚度方向上的至少一部分形成。第一化合物半导体层具有大于0.6μm的厚度。第一化合物半导体层中形成有高折射率层，该高折射率层由具有比第一化合物半导体层的化合物半导体材料的折射率高的折射率的化合物半导体材料形成。 |
| 申请日期 | 2012-09-20 |
| 专利号 | CN103117511A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210353540.9 |
| 公开（公告）号 | CN103117511A |
| IPC 分类号 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | 李静 | 宫传芝 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90753 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 幸田伦太郎,渡边秀辉,仓本大,等. 发光器件. CN103117511A[P]. 2013-05-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103117511A.PDF（1923KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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