一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法

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	一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法
其他题名	一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法
	于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
	2012-02-29
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2012-02-29
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n-InP衬底上依次外延生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层和p-n反型层；步骤2：在InGaAsP上波导层和p-n反型层上刻蚀出复耦合型光栅；步骤3：在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p-InP盖层、刻蚀停止层、第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层；步骤4：在第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构，并大面积淀积二氧化硅层；步骤5：刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层，形成窗口；步骤6：在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。
其他摘要	一种一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在n-InP衬底上依次外延生长出InP缓冲层、InGaAsP下波导层、多量子阱结构、InGaAsP上波导层和p-n反型层；步骤2：在InGaAsP上波导层和p-n反型层上刻蚀出复耦合型光栅；步骤3：在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p-InP盖层、刻蚀停止层、第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层；步骤4：在第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构，并大面积淀积二氧化硅层；步骤5：刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层，形成窗口；步骤6：在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。
申请日期	2011-11-10
专利号	CN102364772A
专利状态	失效
申请号	CN201110355383.0
公开（公告）号	CN102364772A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/12
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90750
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	于红艳,周旭亮,邵永波,等. 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法. CN102364772A[P]. 2012-02-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102364772A.PDF（431KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文