Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体发光元件及发光装置 | |
| 其他题名 | 半导体发光元件及发光装置 |
| 萩野裕幸; 左文字克哉 | |
| 2013-09-18 | |
| 专利权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 公开日期 | 2013-09-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件(100)，具备在基板(101)上形成的氮化物半导体层(103)、绝缘膜(105)、第1电极(171)以及第2电极(172)。氮化物半导体层(103)包括具有条状的脊部(103A)的第2包覆层(135)。绝缘膜(105)遍及脊部(103A)的侧面之上以及第2包覆层(135)中的与脊部(103A)相接的部分之上而形成，并且形成为使第2包覆层中的除了脊部之外的区域的一部分露出。第1电极(171)被形成为与脊部(103A)的上表面相接。第2电极(173)被形成为与第1电极(171)的上表面、绝缘膜(105)的上表面以及第2包覆层(135)的从绝缘膜(105)露出的部分相接。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件(100)，具备在基板(101)上形成的氮化物半导体层(103)、绝缘膜(105)、第1电极(171)以及第2电极(172)。氮化物半导体层(103)包括具有条状的脊部(103A)的第2包覆层(135)。绝缘膜(105)遍及脊部(103A)的侧面之上以及第2包覆层(135)中的与脊部(103A)相接的部分之上而形成，并且形成为使第2包覆层中的除了脊部之外的区域的一部分露出。第1电极(171)被形成为与脊部(103A)的上表面相接。第2电极(173)被形成为与第1电极(171)的上表面、绝缘膜(105)的上表面以及第2包覆层(135)的从绝缘膜(105)露出的部分相接。 |
| 申请日期 | 2011-07-05 |
| 专利号 | CN103314488A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201180064244.0 |
| 公开（公告）号 | CN103314488A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/042 |
| 专利代理人 | 樊建中 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90740 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 萩野裕幸,左文字克哉. 半导体发光元件及发光装置. CN103314488A[P]. 2013-09-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103314488A.PDF（2109KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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