镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法

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	镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法
其他题名	镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法
	刘俊岐; 刘峰奇; 路秀真; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹
	2007-05-09
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2007-05-09
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的中间部位；一上波导层生长在有源层上；一上覆盖层生长在上波导层上；一隔离层淀积在上覆盖层上并覆盖脊形的两侧及下波导层两边的上面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层热蒸发在隔离层上，并覆盖住电流注入窗口；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的背面。
其他摘要	一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的中间部位；一上波导层生长在有源层上；一上覆盖层生长在上波导层上；一隔离层淀积在上覆盖层上并覆盖脊形的两侧及下波导层两边的上面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层热蒸发在隔离层上，并覆盖住电流注入窗口；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的背面。
申请日期	2005-11-01
专利号	CN1960091A
专利状态	失效
申请号	CN200510117174.7
公开（公告）号	CN1960091A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/343
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90739
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘俊岐,刘峰奇,路秀真,等. 镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法. CN1960091A[P]. 2007-05-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1960091A.PDF（640KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文