用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法

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	用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
其他题名	用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
	王曦; 孙佳胤; 陈静; 武爱民; 欧欣
	2008-01-16
专利权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期	2008-01-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料及其制备方法，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料(SOI)或具有单晶硅－绝缘埋层－单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成一个个独立的硅岛；硅岛之间的最小距离要大于外延氮化镓厚度的两倍；且独立硅岛的中心区域下的衬底硅和绝缘埋层被全部刻蚀掉，而其它部分的衬底硅和绝缘埋层给予保留，从而独立硅岛的中心区域悬空，悬空面积S2大于独立硅岛面积S1的70％，而小于90％。本发明所得到的中心悬空的顶层硅岛为氮化镓外延生长提供了超薄衬底，能有效减少异质外延的应力，提高外延生长氮化镓的晶体质量。
其他摘要	本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料及其制备方法，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料(SOI)或具有单晶硅－绝缘埋层－单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成一个个独立的硅岛；硅岛之间的最小距离要大于外延氮化镓厚度的两倍；且独立硅岛的中心区域下的衬底硅和绝缘埋层被全部刻蚀掉，而其它部分的衬底硅和绝缘埋层给予保留，从而独立硅岛的中心区域悬空，悬空面积S2大于独立硅岛面积S1的70％，而小于90％。本发明所得到的中心悬空的顶层硅岛为氮化镓外延生长提供了超薄衬底，能有效减少异质外延的应力，提高外延生长氮化镓的晶体质量。
申请日期	2007-07-10
专利号	CN101106161A
专利状态	失效
申请号	CN200710043618.6
公开（公告）号	CN101106161A
IPC 分类号	H01L29/786 \| H01L27/12 \| H01L23/00 \| H01L21/20 \| H01L21/336 \| H01L21/84 \| H01L33/00 \| H01S5/00 \| H01L33/20
专利代理人	潘振甦
代理机构	上海智信专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90734
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王曦,孙佳胤,陈静,等. 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法. CN101106161A[P]. 2008-01-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101106161A.PDF（439KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文