Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法 | |
| 其他题名 | 一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法 |
| 王永宾; 张晶; 徐云; 宋国锋; 陈良惠 | |
| 2012-07-04 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法，该系统包括：一全息曝光系统，用于材料表面光刻胶光栅的制备；一反应离子刻蚀设备，用于实现光刻胶光栅到GaSb材料系中的光栅转移。本发明提供的这种制备GaSb基DFB激光器中光栅的ICP刻蚀系统及方法，通过调节刻蚀用气体种类与流量、ICP功率、偏压功率与腔室气压，并结合实验结果对ICP刻蚀过程进行调整与优化，实现了光刻胶光栅在GaSb材料系中的良好转移。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法，该系统包括：一全息曝光系统，用于材料表面光刻胶光栅的制备；一反应离子刻蚀设备，用于实现光刻胶光栅到GaSb材料系中的光栅转移。本发明提供的这种制备GaSb基DFB激光器中光栅的ICP刻蚀系统及方法，通过调节刻蚀用气体种类与流量、ICP功率、偏压功率与腔室气压，并结合实验结果对ICP刻蚀过程进行调整与优化，实现了光刻胶光栅在GaSb材料系中的良好转移。 |
| 申请日期 | 2012-02-17 |
| 专利号 | CN102545044A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210037646.8 |
| 公开（公告）号 | CN102545044A |
| IPC 分类号 | H01S5/12 |
| 专利代理人 | 宋焰琴 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90713 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永宾,张晶,徐云,等. 一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法. CN102545044A[P]. 2012-07-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102545044A.PDF（1205KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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