阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法

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	阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法
其他题名	阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法
	马卫东; 丁丽; 李迪; 赵建宜; 朱虎; 陈昊; 王宁
	2013-03-27
专利权人	武汉光迅科技股份有限公司
公开日期	2013-03-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法，包括如下步骤：设计制作出适于集成的阵列波导光栅芯片；在阵列波导光栅芯片上制作出定位区域；在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出对准标记；在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出电极；将半导体放大器芯片的对准标记同定位区域的对准标记对准后，将半导体放大器芯片倒装焊在阵列波导光栅芯片的定位区域上；采用本发明提供的方法可以使SOA芯片集成在AWG芯片的衬底上，提高了器件的可靠性，同时简化了集成工艺，提高了集成效率。
其他摘要	本发明公开了阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法，包括如下步骤：设计制作出适于集成的阵列波导光栅芯片；在阵列波导光栅芯片上制作出定位区域；在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出对准标记；在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出电极；将半导体放大器芯片的对准标记同定位区域的对准标记对准后，将半导体放大器芯片倒装焊在阵列波导光栅芯片的定位区域上；采用本发明提供的方法可以使SOA芯片集成在AWG芯片的衬底上，提高了器件的可靠性，同时简化了集成工艺，提高了集成效率。
申请日期	2012-12-14
专利号	CN103001120A
专利状态	失效
申请号	CN201210541783.5
公开（公告）号	CN103001120A
IPC 分类号	H01S5/026 \| H01S5/12 \| G02B6/13
专利代理人	张火春
代理机构	武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90705
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉光迅科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	马卫东,丁丽,李迪,等. 阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法. CN103001120A[P]. 2013-03-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103001120A.PDF（662KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文