化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法

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	化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法
其他题名	化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法
	酒井士郎; 高松勇吉; 森勇次; 王宏兴; 小宫由直; 吴羽羚儿; 石滨义康; 纲岛丰
	2003-01-22
专利权人	日本派欧尼股份株式会社
公开日期	2003-01-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	公开了一种制备半导体膜的化学汽相淀积设备，所述的设备包括装有以下设备的卧式反应管：支承衬底的基座、加热衬底的加热器、使送入反应管的配料气体的进料方向基本上与衬底平行的方式配置的配料气体引入段以及反应气体排出段，以及在面对衬底的反应管壁上还有加压气体引入段，其中在配料气体气路的上游侧加压气体气路的至少一部分的结构是这样的，以致从加压气体引入段的所述部分提供的加压气体以斜下方向或水平方向朝配料气体气路的下游侧送入。在这里还公开了一种使用所述设备的化学汽相淀积方法。从而甚至在大型衬底进行化学汽相淀积或多件衬底同时进行化学汽相淀积的情况下或在高温下，也可制得有良好结晶度的均匀半导体膜。
其他摘要	公开了一种制备半导体膜的化学汽相淀积设备，所述的设备包括装有以下设备的卧式反应管：支承衬底的基座、加热衬底的加热器、使送入反应管的配料气体的进料方向基本上与衬底平行的方式配置的配料气体引入段以及反应气体排出段，以及在面对衬底的反应管壁上还有加压气体引入段，其中在配料气体气路的上游侧加压气体气路的至少一部分的结构是这样的，以致从加压气体引入段的所述部分提供的加压气体以斜下方向或水平方向朝配料气体气路的下游侧送入。在这里还公开了一种使用所述设备的化学汽相淀积方法。从而甚至在大型衬底进行化学汽相淀积或多件衬底同时进行化学汽相淀积的情况下或在高温下，也可制得有良好结晶度的均匀半导体膜。
申请日期	2002-06-18
专利号	CN1392595A
专利状态	失效
申请号	CN02122659.8
公开（公告）号	CN1392595A
IPC 分类号	H01L21/20 \| C23C16/44 \| C23C16/455 \| C30B25/02 \| C30B25/14 \| H01J37/32 \| H01L21/205 \| H01L33/32 \| H01L33/58 \| H01S5/323 \| C23C16/34
专利代理人	孙爱
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90698
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本派欧尼股份株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	酒井士郎,高松勇吉,森勇次,等. 化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法. CN1392595A[P]. 2003-01-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1392595A.PDF（928KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文