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光半导体集成元件以及其制造方法
其他题名光半导体集成元件以及其制造方法
高林和雅; 山本刚之
2016-01-06
专利权人富士通株式会社
公开日期2016-01-06
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及光半导体集成元件以及其制造方法,消除元件制造困难性,并且降低光的传输损耗。具备由至少层叠第1导电型下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层而成的层叠构造构成的条纹状的波导,并由第2导电型上部包覆层、和在与波导的主要的延伸方向垂直的方向上偏移地具有折曲部的i型上部包覆层来形成上部包覆层。
其他摘要本发明涉及光半导体集成元件以及其制造方法,消除元件制造困难性,并且降低光的传输损耗。具备由至少层叠第1导电型下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层而成的层叠构造构成的条纹状的波导,并由第2导电型上部包覆层、和在与波导的主要的延伸方向垂直的方向上偏移地具有折曲部的i型上部包覆层来形成上部包覆层。
申请日期2013-05-23
专利号CN105229523A
专利状态失效
申请号CN201380076823.6
公开(公告)号CN105229523A
IPC 分类号G02F1/025 | G02B6/122 | G02B6/13 | G02F1/017 | H01S5/026
专利代理人舒艳君 | 李洋
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90668
专题半导体激光器专利数据库
作者单位富士通株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
高林和雅,山本刚之. 光半导体集成元件以及其制造方法. CN105229523A[P]. 2016-01-06.
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CN105229523A.PDF(2405KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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