Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种锗量子点的制备方法 | |
| 其他题名 | 一种锗量子点的制备方法 |
| 张永; 李成; 廖凌宏; 陈松岩; 赖虹凯; 康俊勇 | |
| 2009-03-18 | |
| 专利权人 | 厦门大学 |
| 公开日期 | 2009-03-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。 |
| 其他摘要 | 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。 |
| 申请日期 | 2008-10-14 |
| 专利号 | CN101388324A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200810071934.9 |
| 公开（公告）号 | CN101388324A |
| IPC 分类号 | H01L21/00 | H01L21/20 | H01L33/00 | H01L31/18 | H01S5/00 | B82B3/00 |
| 专利代理人 | 马应森 |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90663 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张永,李成,廖凌宏,等. 一种锗量子点的制备方法. CN101388324A[P]. 2009-03-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101388324A.PDF（173KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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