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半导体光集成电路
其他题名半导体光集成电路
水村通伸
2015-08-26
专利权人株式会社V技术
公开日期2015-08-26
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种半导体光集成电路,其通过发光功能部与光波导部的无边界化,不使用光耦合器而实现了较高的光耦合效率。半导体光集成电路(1)具备:半导体基板(10);形成于半导体基板(10)且沿着信号传输路径连续延设的pn接合部(10pn);形成于pn接合部(10pn)上的一部分的发光功能部(2);以及形成于与发光功能部(2)连续的pn接合部(10pn)上的光波导部(3)。发光功能部(2)向pn接合部(10pn)供给驱动电流,由pn接合部(10pn)产生光信号,光波导部(3)通过被供给于pn接合部(10pn)的放大电流,一边放大光信号,一边传输光信号。
其他摘要本发明提供一种半导体光集成电路,其通过发光功能部与光波导部的无边界化,不使用光耦合器而实现了较高的光耦合效率。半导体光集成电路(1)具备:半导体基板(10);形成于半导体基板(10)且沿着信号传输路径连续延设的pn接合部(10pn);形成于pn接合部(10pn)上的一部分的发光功能部(2);以及形成于与发光功能部(2)连续的pn接合部(10pn)上的光波导部(3)。发光功能部(2)向pn接合部(10pn)供给驱动电流,由pn接合部(10pn)产生光信号,光波导部(3)通过被供给于pn接合部(10pn)的放大电流,一边放大光信号,一边传输光信号。
申请日期2013-12-10
专利号CN104871379A
专利状态失效
申请号CN201380068140
公开(公告)号CN104871379A
IPC 分类号H01S5/026 | H01L31/10 | H01L33/02 | H01S5/50
专利代理人吕琳 | 杨生平
代理机构北京品源专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90648
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社V技术
推荐引用方式
GB/T 7714
水村通伸. 半导体光集成电路. CN104871379A[P]. 2015-08-26.
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CN104871379A.PDF(669KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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