Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光电子半导体部件 | |
| 其他题名 | 光电子半导体部件 |
| 马丁·穆勒; 尤伟·斯特劳斯 | |
| 2012-02-15 | |
| 专利权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 公开日期 | 2012-02-15 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 在光电子半导体部件(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体部件包括：外延生长的半导体本体(2)，其带有至少一个有源层(3)。此外，半导体部件(1)的半导体本体(2)具有至少一个势垒层(4)，其中所述势垒层(4)直接与所述有源层(3)邻接。有源层(3)和/或势垒层(4)的材料组分和/或层厚度沿着变化方向或纵向方向(L)、垂直于半导体本体(2)的生长方向(G)变化。通过有源层(3)和/或势垒层(4)的材料组分和/或层厚度的变化，同样沿着变化方向或沿着纵向方向(L)调节在有源层(3)中产生的辐射(R)的发射波长(λ)。 |
| 其他摘要 | 在光电子半导体部件(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体部件包括：外延生长的半导体本体(2)，其带有至少一个有源层(3)。此外，半导体部件(1)的半导体本体(2)具有至少一个势垒层(4)，其中所述势垒层(4)直接与所述有源层(3)邻接。有源层(3)和/或势垒层(4)的材料组分和/或层厚度沿着变化方向或纵向方向(L)、垂直于半导体本体(2)的生长方向(G)变化。通过有源层(3)和/或势垒层(4)的材料组分和/或层厚度的变化，同样沿着变化方向或沿着纵向方向(L)调节在有源层(3)中产生的辐射(R)的发射波长(λ)。 |
| 申请日期 | 2010-01-20 |
| 专利号 | CN102356522A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201080012813.2 |
| 公开（公告）号 | CN102356522A |
| IPC 分类号 | H01S3/0941 | H01S5/40 | H01S5/42 |
| 专利代理人 | 许伟群 | 郭放 |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90624 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马丁·穆勒,尤伟·斯特劳斯. 光电子半导体部件. CN102356522A[P]. 2012-02-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102356522A.PDF（847KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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