平面波导型石墨烯被动锁模激光器

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	平面波导型石墨烯被动锁模激光器
其他题名	平面波导型石墨烯被动锁模激光器
	陆荣国; 叶胜威; 寿晓峰; 田朝辉; 张尚剑; 刘爽; 刘永
	2015-04-22
专利权人	电子科技大学
公开日期	2015-04-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种平面波导型石墨烯被动锁模激光器，涉及光电技术领域，其中，所述缓冲层、下光包层、下势垒层、有源层、上势垒层、上光包层和欧姆接触层依次制作在[100]面偏向[110]方向4~9°的N型掺杂硅衬底层上构成半导体光放大器结构；第一光栅结构和第二光栅结构具有相同中心波长，分别制作在有源层的两侧，构成光栅谐振腔；石墨烯层贴附于第一光栅结构（6）的输入端面，作为饱和吸收体。本发明以硅基为作为衬底层的，解决了现有技术中半导体超短脉冲激光器主要是以GaAS或InP为衬底不与CMOS工艺兼容的技术问题，且便于和硅基集成；并利用石墨烯的饱和吸收特性，实现了超短脉冲激光。
其他摘要	本发明公开了一种平面波导型石墨烯被动锁模激光器，涉及光电技术领域，其中，所述缓冲层、下光包层、下势垒层、有源层、上势垒层、上光包层和欧姆接触层依次制作在[100]面偏向[110]方向4~9°的N型掺杂硅衬底层上构成半导体光放大器结构；第一光栅结构和第二光栅结构具有相同中心波长，分别制作在有源层的两侧，构成光栅谐振腔；石墨烯层贴附于第一光栅结构（6）的输入端面，作为饱和吸收体。本发明以硅基为作为衬底层的，解决了现有技术中半导体超短脉冲激光器主要是以GaAS或InP为衬底不与CMOS工艺兼容的技术问题，且便于和硅基集成；并利用石墨烯的饱和吸收特性，实现了超短脉冲激光。
申请日期	2014-12-26
专利号	CN104538839A
专利状态	失效
申请号	CN201410824165.0
公开（公告）号	CN104538839A
IPC 分类号	H01S5/065 \| H01S5/30
专利代理人	杨保刚
代理机构	成都弘毅天承知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90622
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	电子科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	陆荣国,叶胜威,寿晓峰,等. 平面波导型石墨烯被动锁模激光器. CN104538839A[P]. 2015-04-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104538839A.PDF（386KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文