一种硅基混合集成的波长可调被动锁模激光器

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	一种硅基混合集成的波长可调被动锁模激光器
其他题名	一种硅基混合集成的波长可调被动锁模激光器
	肖希; 王磊; 陈代高; 李淼峰
	2017-05-31
专利权人	武汉邮电科学研究院
公开日期	2017-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种硅基混合集成的波长可调被动锁模激光器，包括硅光芯片、可饱和吸收体薄膜和放置在可饱和吸收体薄膜上方，并且与硅光芯片上的光路形成光学谐振腔的半导体光放大器、准直透镜和反射棱镜；可饱和吸收体薄膜覆盖在硅光芯片表面，产生光学非线性吸收，实现被动锁模；半导体光放大器作为增益介质，其两个端面分别镀有反射膜和增透膜，镀有反射膜的端面靠近光纤谐振腔外侧，镀有增透膜的端面靠近准直透镜；准直透镜实现半导体光放大器与硅光芯片的光束模场和数值孔径匹配；反射棱镜对硅光芯片的入射光束进行垂直折转或对出射光束进行水平折转。本发明便于光纤谐振腔的缩小和可饱和吸收体薄膜覆盖，实现超小型、高重复频率和波长可调谐。
其他摘要	本发明公开了一种硅基混合集成的波长可调被动锁模激光器，包括硅光芯片、可饱和吸收体薄膜和放置在可饱和吸收体薄膜上方，并且与硅光芯片上的光路形成光学谐振腔的半导体光放大器、准直透镜和反射棱镜；可饱和吸收体薄膜覆盖在硅光芯片表面，产生光学非线性吸收，实现被动锁模；半导体光放大器作为增益介质，其两个端面分别镀有反射膜和增透膜，镀有反射膜的端面靠近光纤谐振腔外侧，镀有增透膜的端面靠近准直透镜；准直透镜实现半导体光放大器与硅光芯片的光束模场和数值孔径匹配；反射棱镜对硅光芯片的入射光束进行垂直折转或对出射光束进行水平折转。本发明便于光纤谐振腔的缩小和可饱和吸收体薄膜覆盖，实现超小型、高重复频率和波长可调谐。
申请日期	2016-12-22
专利号	CN106785900A
专利状态	授权
申请号	CN201611196557.2
公开（公告）号	CN106785900A
IPC 分类号	H01S5/065 \| H01S5/06 \| H01S5/125
专利代理人	王卫东
代理机构	北京捷诚信通专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90581
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉邮电科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	肖希,王磊,陈代高,等. 一种硅基混合集成的波长可调被动锁模激光器. CN106785900A[P]. 2017-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106785900A.PDF（139KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文