Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 新型有机半导体固态激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | 新型有机半导体固态激光器及其制备方法 |
| 魏斌; 孙三春; 张建华; 张志林 | |
| 2009-03-18 | |
| 专利权人 | 上海大学 |
| 公开日期 | 2009-03-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明及一种新型有机半导体固态激光器及其制备方法。该激光器是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个分布型布拉格共振器DBR或分布反馈型共振器DFB；该共振器选用LiF、SiO2、SiNx或Al2O3通过真空镀膜或者磁控溅射方法完成，其布拉格波长λBragg的计算公式为：λBragg＝neff2Λ/m，其中neff是有效的折射率常数，m和Λ分别是光栅的衍射级和周期。本发明结合光致发光和电致发光，利用高强度的OLED的EL光，泵浦同一器件上的低ASE阈值有机薄膜，以此避免OLED期间中的有机发光层中对电荷和激子对光的吸收，以及强光产生的激子拆分，实现OLED泵浦型激光。 |
| 其他摘要 | 本发明及一种新型有机半导体固态激光器及其制备方法。该激光器是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个分布型布拉格共振器DBR或分布反馈型共振器DFB；该共振器选用LiF、SiO2、SiNx或Al2O3通过真空镀膜或者磁控溅射方法完成，其布拉格波长λBragg的计算公式为：λBragg＝neff2Λ/m，其中neff是有效的折射率常数，m和Λ分别是光栅的衍射级和周期。本发明结合光致发光和电致发光，利用高强度的OLED的EL光，泵浦同一器件上的低ASE阈值有机薄膜，以此避免OLED期间中的有机发光层中对电荷和激子对光的吸收，以及强光产生的激子拆分，实现OLED泵浦型激光。 |
| 申请日期 | 2008-10-30 |
| 专利号 | CN101388523A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200810201994 |
| 公开（公告）号 | CN101388523A |
| IPC 分类号 | H01S5/36 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | 何文欣 |
| 代理机构 | 上海上大专利事务所（普通合伙） | 上海上大专利事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90564 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏斌,孙三春,张建华,等. 新型有机半导体固态激光器及其制备方法. CN101388523A[P]. 2009-03-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101388523A.PDF（363KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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