Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法 | |
| 其他题名 | 多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法 |
| 戴兴; 李梦珂; 李雅博; 周旭亮; 于红艳; 潘教青 | |
| 2017-06-23 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2017-06-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法，多波长硅基混合集成slot激光器阵列包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列，其中，所述硅基波导结构包括硅基衬底以及设置在所述硅基衬底上的n条波导通道，每一波导通道包括顺序设置的硅波导部分、taper部分以及slot部分，所述各波导通道的slot部分的宽度均不同，其中n≥2，n为正整数。 |
| 其他摘要 | 一种多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法，多波长硅基混合集成slot激光器阵列包括硅基波导结构及键合在所述硅基波导结构上的多模半导体增益激光器阵列，其中，所述硅基波导结构包括硅基衬底以及设置在所述硅基衬底上的n条波导通道，每一波导通道包括顺序设置的硅波导部分、taper部分以及slot部分，所述各波导通道的slot部分的宽度均不同，其中n≥2，n为正整数。 |
| 申请日期 | 2017-04-13 |
| 专利号 | CN106887790A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201710243196.0 |
| 公开（公告）号 | CN106887790A |
| IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/20 |
| 专利代理人 | 方丁一 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90543 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 戴兴,李梦珂,李雅博,等. 多波长硅基混合集成slot激光器阵列及其制备方法. CN106887790A[P]. 2017-06-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106887790A.PDF（246KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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