多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器

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	多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器
其他题名	多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器
	徐晨; 解意洋; 邓军; 朱彦旭; 魏思民; 毛明明; 曹田; 阚强; 王春霞; 陈弘达
	2012-08-01
专利权人	北京工业大学
公开日期	2012-08-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明属于光电子领域，是多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器。依次包括有在衬底上依次生长下DBR，有源区，氧化限制层，上DBR和P型欧姆接触层，氧化限制层设有氧化孔；其特征在于：在上DBR和P型欧姆接触层中刻蚀出光子晶体空气孔制作出多孔缺陷型光子晶体结构，多孔缺陷型光子晶体结构包括光子晶体空气孔以及光子晶体缺陷孔；多孔缺陷型光子晶体结构周期1-3微米，占空比为0.3-0.9，刻蚀深度在1-2微米，同时氧化孔的直径D比光子晶体缺陷孔的直径d大一个光子晶体空气孔直径b，即D＝b+d。本发明使器件工作在低阈值电流、小串联电阻、高单模输出功率状态，应用于氧化限制型光子晶体面发射激光器，不受波长范围影响。
其他摘要	本发明属于光电子领域，是多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器。依次包括有在衬底上依次生长下DBR，有源区，氧化限制层，上DBR和P型欧姆接触层，氧化限制层设有氧化孔；其特征在于：在上DBR和P型欧姆接触层中刻蚀出光子晶体空气孔制作出多孔缺陷型光子晶体结构，多孔缺陷型光子晶体结构包括光子晶体空气孔以及光子晶体缺陷孔；多孔缺陷型光子晶体结构周期1-3微米，占空比为0.3-0.9，刻蚀深度在1-2微米，同时氧化孔的直径D比光子晶体缺陷孔的直径d大一个光子晶体空气孔直径b，即D＝b+d。本发明使器件工作在低阈值电流、小串联电阻、高单模输出功率状态，应用于氧化限制型光子晶体面发射激光器，不受波长范围影响。
申请日期	2012-03-27
专利号	CN102623890A
专利状态	失效
申请号	CN201210084753.6
公开（公告）号	CN102623890A
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	刘萍
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90523
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	徐晨,解意洋,邓军,等. 多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器. CN102623890A[P]. 2012-08-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102623890A.PDF（639KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文