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半导体光集成元件及其制造方法
其他题名半导体光集成元件及其制造方法
清田和明; 木本龙也; 斋藤裕介
2017-03-22
专利权人古河电气工业株式会社
公开日期2017-03-22
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种半导体光集成元件,在基板上至少依次层叠了下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层,该半导体光集成元件具备:掩埋型波导部,具有在所述波导芯层的两侧附近埋入了半导体包覆材料的结构;以及台面型波导部,具有至少包含所述上部包覆层的半导体层突出成台面状的波导结构,所述掩埋型波导部中的所述上部包覆层的厚度比所述台面型波导部中的所述上部包覆层的厚度厚。
其他摘要一种半导体光集成元件,在基板上至少依次层叠了下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层,该半导体光集成元件具备:掩埋型波导部,具有在所述波导芯层的两侧附近埋入了半导体包覆材料的结构;以及台面型波导部,具有至少包含所述上部包覆层的半导体层突出成台面状的波导结构,所述掩埋型波导部中的所述上部包覆层的厚度比所述台面型波导部中的所述上部包覆层的厚度厚。
申请日期2015-10-05
专利号CN106537201A
专利状态授权
申请号CN201580040429.6
公开(公告)号CN106537201A
IPC 分类号G02B6/122 | G02B6/12 | G02B6/132 | G02B6/136 | G02F1/017 | H01S5/026
专利代理人王亚爱
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90520
专题半导体激光器专利数据库
作者单位古河电气工业株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
清田和明,木本龙也,斋藤裕介. 半导体光集成元件及其制造方法. CN106537201A[P]. 2017-03-22.
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