Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 发光二极管结构及其制造方法 | |
| 其他题名 | 发光二极管结构及其制造方法 |
| 陈隆建; 简奉任 | |
| 2005-01-26 | |
| 专利权人 | 璨圆光电股份有限公司 |
| 公开日期 | 2005-01-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管结构，至少包括：一基板、一混合层、一第一型态半导体层，以及一第二型态半导体层。其中，混合层至少具有一粗化层用以扩散射入的光线，而粗化层是一层氮化硅材料或具有AlInGaN量子点的薄膜。此外，本发明还提供一种发光二极管的制造方法，其是在发光二极管组件的外延过程中成长至少具有一粗化层的混合层，以使得混合层具有使光线散射的功用。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种发光二极管结构，至少包括：一基板、一混合层、一第一型态半导体层，以及一第二型态半导体层。其中，混合层至少具有一粗化层用以扩散射入的光线，而粗化层是一层氮化硅材料或具有AlInGaN量子点的薄膜。此外，本发明还提供一种发光二极管的制造方法，其是在发光二极管组件的外延过程中成长至少具有一粗化层的混合层，以使得混合层具有使光线散射的功用。 |
| 申请日期 | 2003-07-24 |
| 专利号 | CN1571177A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03150332.2 |
| 公开（公告）号 | CN1571177A |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01L33/04 | H01L33/32 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 徐川 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90516 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 璨圆光电股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈隆建,简奉任. 发光二极管结构及其制造方法. CN1571177A[P]. 2005-01-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1571177A.PDF（531KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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