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垂直外腔面发射激光器
其他题名垂直外腔面发射激光器
李俊昊; 金泽; 李商文
2007-07-25
专利权人三星电子株式会社
公开日期2007-07-25
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供了一种端泵垂直外腔面发射激光器(VECSEL)。该VECSEL包括:散热器,用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散产生的热量;激光器芯片,设置在散热器上,并且由泵浦光束激发而发射第一波长的光束;倍频发生(SHG)晶体,其设置在激光器芯片上,并且将从激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的激光束,其为第一波长的一半;和平面外腔,其直接形成在SHG晶体上,并且对第二波长的光束有预定的透射率。
其他摘要本发明提供了一种端泵垂直外腔面发射激光器(VECSEL)。该VECSEL包括:散热器,用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散产生的热量;激光器芯片,设置在散热器上,并且由泵浦光束激发而发射第一波长的光束;倍频发生(SHG)晶体,其设置在激光器芯片上,并且将从激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的激光束,其为第一波长的一半;和平面外腔,其直接形成在SHG晶体上,并且对第二波长的光束有预定的透射率。
申请日期2006-08-24
专利号CN101005195A
专利状态失效
申请号CN200610121484.0
公开(公告)号CN101005195A
IPC 分类号H01S5/183 | H01S5/024 | H01S5/04
专利代理人陶凤波
代理机构北京市柳沈律师事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90505
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三星电子株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
李俊昊,金泽,李商文. 垂直外腔面发射激光器. CN101005195A[P]. 2007-07-25.
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CN101005195A.PDF(602KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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