OPT OpenIR  > 半导体激光器专利数据库
一种单模大功率太赫兹量子级联激光器及其制作工艺
其他题名一种单模大功率太赫兹量子级联激光器及其制作工艺
曹俊诚; 万文坚; 韩英军
2012-07-11
专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期2012-07-11
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种单模大功率太赫兹量子级联激光器及其制作工艺,所述单模大功率太赫兹量子级联激光器包括位于中心的二维光子晶体波导和环绕二维光子晶体波导分布的一阶光栅波导。本发明所述的单模大功率太赫兹量子级联激光器大大增加了中心区域波导的太赫兹激光的输出功率,保证了太赫兹激光的单模窄线宽,只反馈激光器设定的工作模式,抑制横向高次模,同时还提高了光子晶体谐振腔的品质因子。
其他摘要本发明提供一种单模大功率太赫兹量子级联激光器及其制作工艺,所述单模大功率太赫兹量子级联激光器包括位于中心的二维光子晶体波导和环绕二维光子晶体波导分布的一阶光栅波导。本发明所述的单模大功率太赫兹量子级联激光器大大增加了中心区域波导的太赫兹激光的输出功率,保证了太赫兹激光的单模窄线宽,只反馈激光器设定的工作模式,抑制横向高次模,同时还提高了光子晶体谐振腔的品质因子。
申请日期2012-02-02
专利号CN102570307A
专利状态失效
申请号CN201210023654.7
公开(公告)号CN102570307A
IPC 分类号H01S5/34 | H01S5/22 | B82Y20/00
专利代理人李仪萍
代理机构上海光华专利事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90500
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
曹俊诚,万文坚,韩英军. 一种单模大功率太赫兹量子级联激光器及其制作工艺. CN102570307A[P]. 2012-07-11.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN102570307A.PDF(499KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[曹俊诚]的文章
[万文坚]的文章
[韩英军]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[曹俊诚]的文章
[万文坚]的文章
[韩英军]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[曹俊诚]的文章
[万文坚]的文章
[韩英军]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。