Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 硅基电注入激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | 硅基电注入激光器及其制备方法 |
王梦琦; 李稚博; 周旭亮; 李亚节; 王鹏飞 ; 潘教青
| |
| 2017-08-18 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2017-08-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种硅基电注入激光器及其制备方法，该制备方法包括：在绝缘硅衬底的上表面生长SiO2层，并在SiO2层的中间位置刻蚀出贯穿SiO2层的第一矩形槽；腐蚀绝缘硅衬底，在与第一矩形槽相对应的位置，形成与第一矩形槽等宽的V型槽；在V型槽和第一矩形槽内生长形成N型位错限制层、N型缓冲层和外延结构；腐蚀去除SiO2层的剩余部分，完成硅基电注入激光器的制备。本发明由于直接外延采用选区V型槽工艺，不易产生缺陷及反相畴，并可大大降低缓冲层的厚度，因此器件的总体厚度小，降低了硅基光电集成中其余器件工艺实施的难度。 |
| 其他摘要 | 一种硅基电注入激光器及其制备方法，该制备方法包括：在绝缘硅衬底的上表面生长SiO2层，并在SiO2层的中间位置刻蚀出贯穿SiO2层的第一矩形槽；腐蚀绝缘硅衬底，在与第一矩形槽相对应的位置，形成与第一矩形槽等宽的V型槽；在V型槽和第一矩形槽内生长形成N型位错限制层、N型缓冲层和外延结构；腐蚀去除SiO2层的剩余部分，完成硅基电注入激光器的制备。本发明由于直接外延采用选区V型槽工艺，不易产生缺陷及反相畴，并可大大降低缓冲层的厚度，因此器件的总体厚度小，降低了硅基光电集成中其余器件工艺实施的难度。 |
| 申请日期 | 2017-04-18 |
| 专利号 | CN107069430A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201710255128.6 |
| 公开（公告）号 | CN107069430A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90471 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王梦琦,李稚博,周旭亮,等. 硅基电注入激光器及其制备方法. CN107069430A[P]. 2017-08-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107069430A.PDF（739KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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