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脊形波导量子级联激光器的制作方法
其他题名脊形波导量子级联激光器的制作方法
路秀真; 常秀兰; 胡颖; 刘峰奇; 王占国
2005-11-23
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2005-11-23
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种脊形波导量子级联激光器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(A)在半导体衬底上生长量子级联结构,作为激光器的有源区和波导层;(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅,作为质子轰击掩蔽层;(C)涂光刻胶,刻蚀出条形;(D)带胶进行质子轰击,去胶;(E)生长一薄层二氧化硅,在解理处刻蚀出条形作为解理标识;(F)蒸电极,解理,压焊。
其他摘要一种脊形波导量子级联激光器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(A)在半导体衬底上生长量子级联结构,作为激光器的有源区和波导层;(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅,作为质子轰击掩蔽层;(C)涂光刻胶,刻蚀出条形;(D)带胶进行质子轰击,去胶;(E)生长一薄层二氧化硅,在解理处刻蚀出条形作为解理标识;(F)蒸电极,解理,压焊。
申请日期2004-05-20
专利号CN1700541A
专利状态失效
申请号CN200410043265.6
公开(公告)号CN1700541A
IPC 分类号H01S5/22
专利代理人汤保平
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90429
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
路秀真,常秀兰,胡颖,等. 脊形波导量子级联激光器的制作方法. CN1700541A[P]. 2005-11-23.
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