Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法 | |
| 其他题名 | 低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法 |
| 杨静; 赵德刚; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光 | |
| 2015-02-04 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2015-02-04 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层；在氮气环境下，高温退火使P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率P型铝镓氮材料。利用本发明，通过更改生长条件，降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质的浓度，从而减轻了受主补偿作用，达到降低P型铝镓氮材料电阻率的目的。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层低碳杂质浓度的P型铝镓氮层；在氮气环境下，高温退火使P型铝镓氮层中受主激活，得到低电阻率P型铝镓氮材料。利用本发明，通过更改生长条件，降低低温生长的P型铝镓氮材料中非故意掺杂的碳杂质的浓度，从而减轻了受主补偿作用，达到降低P型铝镓氮材料电阻率的目的。 |
| 申请日期 | 2014-09-02 |
| 专利号 | CN104332545A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201410443199 |
| 公开（公告）号 | CN104332545A |
| IPC 分类号 | H01L33/32 | H01L33/00 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90415 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨静,赵德刚,乐伶聪,等. 低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法. CN104332545A[P]. 2015-02-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104332545A.PDF（514KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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