一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法

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	一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法
其他题名	一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法
	马旺; 王成新; 徐现刚
	2016-12-07
专利权人	山东浪潮华光光电子股份有限公司
公开日期	2016-12-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法，该外延结构自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型GaN/AlGaN超晶格光限制层、n型波导层、发光层、pAlxGa1‑xN/pInyGa1‑yN超晶格电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN超晶格光限制层和表面欧姆接触层；其生长方法是在衬底上依次生长所述各层，pAlxGa1‑xN/pInyGa1‑yN超晶格电子阻挡层生长压力为80torr‑260torr，生长温度800℃‑1000℃。本发明采用pAlGaN/pInGaN超晶格电子阻挡层，通过pInGaN层生长引入的张应力缓解pAlGaN层生长引入的压应力，有利于pAlGaN层的生长，又能改善pAlGaN层带来的能带结构变化，从而改善和解决电子积聚和电子泄露问题，能够提高pAlGaN层的折射率。
其他摘要	一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法，该外延结构自下至上依次包含衬底、成核层、高温GaN层、n型GaN/AlGaN超晶格光限制层、n型波导层、发光层、pAlxGa1‑xN/pInyGa1‑yN超晶格电子阻挡层、P型GaN波导层、P型GaN/AlGaN超晶格光限制层和表面欧姆接触层；其生长方法是在衬底上依次生长所述各层，pAlxGa1‑xN/pInyGa1‑yN超晶格电子阻挡层生长压力为80torr‑260torr，生长温度800℃‑1000℃。本发明采用pAlGaN/pInGaN超晶格电子阻挡层，通过pInGaN层生长引入的张应力缓解pAlGaN层生长引入的压应力，有利于pAlGaN层的生长，又能改善pAlGaN层带来的能带结构变化，从而改善和解决电子积聚和电子泄露问题，能够提高pAlGaN层的折射率。
申请日期	2016-09-20
专利号	CN106207754A
专利状态	申请中
申请号	CN201610833227.3
公开（公告）号	CN106207754A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	王书刚
代理机构	济南日新专利代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90361
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东浪潮华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	马旺,王成新,徐现刚. 一种氮化镓基激光器外延结构及其生长方法. CN106207754A[P]. 2016-12-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106207754A.PDF（92KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文