Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法 | |
| 其他题名 | 基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法 |
| 王永进; 朱洪波 | |
| 2012-07-11 | |
| 专利权人 | 南京邮电大学 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，还包括从下往上依次设置在所述顶层氮化物器件层上的一层氮化铝薄膜层和一层氧化铪薄膜层；所述氮化铝薄膜层具有一个贯穿其中的空腔；所述氧化铪薄膜层位于所述空腔上部的悬空部分具有光子器件结构；本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件结构的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法能够便于实现基于氮化物材料的集成光子器件的集成。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，还包括从下往上依次设置在所述顶层氮化物器件层上的一层氮化铝薄膜层和一层氧化铪薄膜层；所述氮化铝薄膜层具有一个贯穿其中的空腔；所述氧化铪薄膜层位于所述空腔上部的悬空部分具有光子器件结构；本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件结构的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法能够便于实现基于氮化物材料的集成光子器件的集成。 |
| 申请日期 | 2011-12-26 |
| 专利号 | CN102570313A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201110441607.X |
| 公开（公告）号 | CN102570313A |
| IPC 分类号 | H01S5/50 |
| 专利代理人 | 许方 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90347 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永进,朱洪波. 基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法. CN102570313A[P]. 2012-07-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102570313A.PDF（4391KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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