多电极串行半导体光放大器

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	多电极串行半导体光放大器
其他题名	多电极串行半导体光放大器
	于丽娟; 邹灿文; 刘建国; 祝宁华
	2017-09-15
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2017-09-15
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本公开提供了一种多电极串行半导体光放大器，包括：衬底；n面电极，形成于衬底的第一表面；n型多层结构，形成于衬底的第二表面，包括：n型下限制层，形成于衬底上；n型波导层，形成于n型下限制层上；有源层，形成于n型多层结构上；p型多层结构，形成于有源层上，包括：p型界面层，形成于有源层上；p型上限制层，形成于p型界面层上；p型欧姆接触层，形成于p型p型上限制层上；p面电极，形成于p型多层结构上，其包括：N个串行电极，用于使载流子从各个串行电极同时注入到有源区，其中，N≥2。通过多电极串行电流多点注入，可解决大功率半导体光放大器的散热问题，提高光电转换效率。
其他摘要	本公开提供了一种多电极串行半导体光放大器，包括：衬底；n面电极，形成于衬底的第一表面；n型多层结构，形成于衬底的第二表面，包括：n型下限制层，形成于衬底上；n型波导层，形成于n型下限制层上；有源层，形成于n型多层结构上；p型多层结构，形成于有源层上，包括：p型界面层，形成于有源层上；p型上限制层，形成于p型界面层上；p型欧姆接触层，形成于p型p型上限制层上；p面电极，形成于p型多层结构上，其包括：N个串行电极，用于使载流子从各个串行电极同时注入到有源区，其中，N≥2。通过多电极串行电流多点注入，可解决大功率半导体光放大器的散热问题，提高光电转换效率。
申请日期	2017-07-13
专利号	CN107171179A
专利状态	申请中
申请号	CN201710568929.8
公开（公告）号	CN107171179A
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/323
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90320
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	于丽娟,邹灿文,刘建国,等. 多电极串行半导体光放大器. CN107171179A[P]. 2017-09-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107171179A.PDF（435KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文