Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 | |
| 其他题名 | 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 |
| 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵 | |
| 2010-11-10 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-11-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底的表面依次生长有源层和限制层，作为器件的基本结构；步骤2：在限制层的表面制作光刻图形；步骤3：光刻，在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构，刻蚀深度到达有源层的表面；步骤4：在双沟脊型结构内及限制层的表面涂聚酰亚胺介质层，预固化；步骤5：在聚酰亚胺介质层的表面涂光刻胶，烘干；步骤6：曝光，显影去掉双沟脊型结构上的及限制层表面的聚酰亚胺介质层，固化，完成器件的制作。 |
| 其他摘要 | 一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底的表面依次生长有源层和限制层，作为器件的基本结构；步骤2：在限制层的表面制作光刻图形；步骤3：光刻，在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构，刻蚀深度到达有源层的表面；步骤4：在双沟脊型结构内及限制层的表面涂聚酰亚胺介质层，预固化；步骤5：在聚酰亚胺介质层的表面涂光刻胶，烘干；步骤6：曝光，显影去掉双沟脊型结构上的及限制层表面的聚酰亚胺介质层，固化，完成器件的制作。 |
| 申请日期 | 2010-06-02 |
| 专利号 | CN101882756A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201010196156.3 |
| 公开（公告）号 | CN101882756A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90318 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王宝军,朱洪亮,赵玲娟,等. 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法. CN101882756A[P]. 2010-11-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101882756A.PDF（83KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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