Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体器件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体器件及其制造方法 |
| 增井勇志; 荒木田孝博; 山内义则; 菊地加代子; 幸田伦太郎; 山口典彦; 大木智之 | |
| 2008-02-20 | |
| 专利权人 | 索尼株式会社 |
| 公开日期 | 2008-02-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种能够显著地增加产量的半导体器件的制造方法以及通过使用该方法制造的半导体器件。在基板上形成半导体层之后，对于每个单位芯片面积在半导体层中形成具有至少一个相互不同的参数值的作为一组的多个功能部分。然后，测量和评估根据参数值改变的对象并之后，对于每个芯片面积分割基板，使得作为评估的结果的与给定标准对应的功能部分不被断开。由此，与给定标准对应的至少一个功能部分可通过适当地调整每个参数值由每个芯片面积形成。 |
| 申请日期 | 2007-06-20 |
| 专利号 | CN101127434A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200710182107.2 |
| 公开（公告）号 | CN101127434A |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/187 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 彭久云 | 马高平 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90299 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 增井勇志,荒木田孝博,山内义则,等. 半导体器件及其制造方法. CN101127434A[P]. 2008-02-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101127434A.PDF（2818KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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