基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器

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	基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器
其他题名	基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器
	王文杰; 李俊泽; 龙衡; 李沫; 张健
	2017-06-20
专利权人	中国工程物理研究院电子工程研究所
公开日期	2017-06-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种在石墨烯上基于原子层沉积氮化铝的氮化镓的生长方法和氮化镓激光器，该方法包括如下步骤：S1 将铜衬底抛光、清洗；S2 在铜衬底上制备石墨烯层；S3 利用原子层沉积法在石墨烯层上生长一层氮化铝薄层；S4 在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长GaN层，因此可以得到高质量的氮化镓激光器；本发明采用石墨烯层作为铜衬底与GaN外延层之间的缓冲层，通过原子层沉积方法制备的氮化铝层，可以实现材料的原子层的逐层生长，良好的厚度可控性和高精度的薄膜生长质量，解决了衬底和外延层之间大的晶格失配、提高外延层的质量。
其他摘要	本发明涉及一种在石墨烯上基于原子层沉积氮化铝的氮化镓的生长方法和氮化镓激光器，该方法包括如下步骤：S1 将铜衬底抛光、清洗；S2 在铜衬底上制备石墨烯层；S3 利用原子层沉积法在石墨烯层上生长一层氮化铝薄层；S4 在氮化铝薄层上采用金属有机物化学气相沉积法生长GaN层，因此可以得到高质量的氮化镓激光器；本发明采用石墨烯层作为铜衬底与GaN外延层之间的缓冲层，通过原子层沉积方法制备的氮化铝层，可以实现材料的原子层的逐层生长，良好的厚度可控性和高精度的薄膜生长质量，解决了衬底和外延层之间大的晶格失配、提高外延层的质量。
申请日期	2017-01-19
专利号	CN106868596A
专利状态	申请中
申请号	CN201710039020.3
公开（公告）号	CN106868596A
IPC 分类号	C30B29/40 \| C30B25/18 \| H01S5/343
专利代理人	蒋斯琪
代理机构	成都天嘉专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90296
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国工程物理研究院电子工程研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王文杰,李俊泽,龙衡,等. 基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器. CN106868596A[P]. 2017-06-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106868596A.PDF（106KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文