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垂直发射量子级联激光器结构
其他题名垂直发射量子级联激光器结构
郭万红; 刘俊岐; 陆全勇; 张伟; 江宇超; 李路; 王利军; 刘峰奇; 王占国
2010-09-29
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2010-09-29
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种垂直发射量子级联激光器结构,包括:一衬底,在该衬底上依次生长有波导层、有源层和接触层;金属光栅层,该金属光栅层位于接触层的上面,并且该金属光栅层具有二级布拉格周期。
其他摘要本发明提供一种垂直发射量子级联激光器结构,包括:一衬底,在该衬底上依次生长有波导层、有源层和接触层;金属光栅层,该金属光栅层位于接触层的上面,并且该金属光栅层具有二级布拉格周期。
申请日期2010-05-07
专利号CN101847828A
专利状态失效
申请号CN201010171511
公开(公告)号CN101847828A
IPC 分类号H01S5/183 | H01S5/187 | H01S5/343
专利代理人汤保平
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90290
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
郭万红,刘俊岐,陆全勇,等. 垂直发射量子级联激光器结构. CN101847828A[P]. 2010-09-29.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN101847828A.PDF(310KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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