Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| GaN基半导体发光器件及其制造方法 | |
| 其他题名 | GaN基半导体发光器件及其制造方法 |
| 盐谷阳平; 京野孝史; 住友隆道; 秋田胜史; 上野昌纪; 中村孝夫 | |
| 2012-05-23 | |
| 专利权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 公开日期 | 2012-05-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | GaN基半导体发光器件11a包含：由GaN基半导体构成的衬底13，其具有以63度以上且小于80度的倾斜角α从c面向m轴倾斜的主面13a；GaN基半导体外延区域15；有源层17；电子阻挡层27及接触层29。有源层17由含铟的GaN基半导体构成。衬底13的位错密度为1×107cm-2以下。在具有含铟的有源层的GaN基半导体发光器件11a中，能够减轻在电流注入高的情况下的量子效率的降低。 |
| 其他摘要 | GaN基半导体发光器件11a包含：由GaN基半导体构成的衬底13，其具有以63度以上且小于80度的倾斜角α从c面向m轴倾斜的主面13a；GaN基半导体外延区域15；有源层17；电子阻挡层27及接触层29。有源层17由含铟的GaN基半导体构成。衬底13的位错密度为1×107cm-2以下。在具有含铟的有源层的GaN基半导体发光器件11a中，能够减轻在电流注入高的情况下的量子效率的降低。 |
| 申请日期 | 2011-01-18 |
| 专利号 | CN102473805A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201180002448.1 |
| 公开（公告）号 | CN102473805A |
| IPC 分类号 | H01L33/32 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 杨海荣 | 穆德骏 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90263 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 盐谷阳平,京野孝史,住友隆道,等. GaN基半导体发光器件及其制造方法. CN102473805A[P]. 2012-05-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102473805A.PDF（2631KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [盐谷阳平]的文章 |
| [京野孝史]的文章 |
| [住友隆道]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [盐谷阳平]的文章 |
| [京野孝史]的文章 |
| [住友隆道]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [盐谷阳平]的文章 |
| [京野孝史]的文章 |
| [住友隆道]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论