垂直共振腔面发射激光元件、垂直共振腔面发射激光阵列元件

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	垂直共振腔面发射激光元件、垂直共振腔面发射激光阵列元件
其他题名	垂直共振腔面发射激光元件、垂直共振腔面发射激光阵列元件
	岩田圭司; 松原一平; 粉奈孝行; 渡边博; 柳濑雅司
	2015-02-18
专利权人	株式会社村田制作所
公开日期	2015-02-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供垂直共振腔面发射激光元件。在垂直共振腔面发射激光元件(10)的表面配置有阴极用电极(911)、阴极用焊盘电极(912A、912B)、阴极用布线电极(913A、913B)、阳极用电极(921)、阳极用焊盘电极(922)、以及阳极用布线电极(923)。在阳极用电极(921)的正下方形成有构成为以包覆层以及DBR层夹着活性层的结构的发光区域多层部。形成有该发光区域多层部的区域成为发光区域(700)。发光区域(700)相对于第一方向，以与平筒夹吸附的吸附区域(800)相比在第一方向的一端侧与吸附区域(800)大致接触或者隔开规定距离的方式配置。
其他摘要	本发明提供垂直共振腔面发射激光元件。在垂直共振腔面发射激光元件(10)的表面配置有阴极用电极(911)、阴极用焊盘电极(912A、912B)、阴极用布线电极(913A、913B)、阳极用电极(921)、阳极用焊盘电极(922)、以及阳极用布线电极(923)。在阳极用电极(921)的正下方形成有构成为以包覆层以及DBR层夹着活性层的结构的发光区域多层部。形成有该发光区域多层部的区域成为发光区域(700)。发光区域(700)相对于第一方向，以与平筒夹吸附的吸附区域(800)相比在第一方向的一端侧与吸附区域(800)大致接触或者隔开规定距离的方式配置。
申请日期	2013-05-23
专利号	CN104364981A
专利状态	授权
申请号	CN201380027395.8
公开（公告）号	CN104364981A
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/183 \| H01S5/42
专利代理人	舒艳君 \| 李洋
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90255
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社村田制作所
推荐引用方式 GB/T 7714	岩田圭司,松原一平,粉奈孝行,等. 垂直共振腔面发射激光元件、垂直共振腔面发射激光阵列元件. CN104364981A[P]. 2015-02-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104364981A.PDF（1800KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文