提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构

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	提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构
其他题名	提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构
	田爱琴; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉
	2017-05-31
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2017-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构。所述方法包括以下步骤：采用一具有原子台阶的衬底，所述衬底上相邻原子台阶形成的斜切角大于0.2°；在原子台阶面上形成缓冲层；在缓冲层上形成高温n型GaN层；在高温n型GaN层上形成InGaN量子阱。本发明的采用大斜切角衬底提高InGaN量子阱发光效率的方法采用斜切角大于0.2°的衬底生长绿光或更长波长InGaN量子阱有源区，可以实现绿光或更长波长InGaN量子阱的原子台阶流生长，改善其形貌，并提高InGaN量子阱的内量子效率。此外，由上述方法制备得到的InGaN量子阱既可以广泛应用于GaN基绿光或更长波长LED、GaN基绿光或更长波长激光器中，也可以广泛应用于多量子阱太阳能电池中。
其他摘要	本发明公开了一种提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构。所述方法包括以下步骤：采用一具有原子台阶的衬底，所述衬底上相邻原子台阶形成的斜切角大于0.2°；在原子台阶面上形成缓冲层；在缓冲层上形成高温n型GaN层；在高温n型GaN层上形成InGaN量子阱。本发明的采用大斜切角衬底提高InGaN量子阱发光效率的方法采用斜切角大于0.2°的衬底生长绿光或更长波长InGaN量子阱有源区，可以实现绿光或更长波长InGaN量子阱的原子台阶流生长，改善其形貌，并提高InGaN量子阱的内量子效率。此外，由上述方法制备得到的InGaN量子阱既可以广泛应用于GaN基绿光或更长波长LED、GaN基绿光或更长波长激光器中，也可以广泛应用于多量子阱太阳能电池中。
申请日期	2016-12-14
专利号	CN106784181A
专利状态	申请中
申请号	CN201611153017.6
公开（公告）号	CN106784181A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L33/20 \| H01L33/24 \| H01L33/32 \| H01S5/343 \| B82Y30/00 \| B82Y40/00
专利代理人	孙伟峰
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90246
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	田爱琴,刘建平,张书明,等. 提高绿光或更长波长InGaN量子阱发光效率的方法及结构. CN106784181A[P]. 2017-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106784181A.PDF（205KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文