一种输出波长双向可逆调谐的半导体纳米线激光器

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	一种输出波长双向可逆调谐的半导体纳米线激光器
其他题名	一种输出波长双向可逆调谐的半导体纳米线激光器
	杨青; 诸葛明华; 杨宗银; 王德龙; 刘旭; 李海峰
	2016-06-01
专利权人	浙江大学
公开日期	2016-06-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开一种输出波长双向可逆调谐的半导体纳米线激光器，包括放置在氧化硅衬底上的渐变带隙半导体纳米线和拉锥光纤；所述拉锥光纤的端面放置高反射率材料，所述高反射率材料与渐变带隙半导体纳米线接触形成散射点，且所述拉锥光纤的四周设有电极；所述的半导体纳米线激光器通过脉冲激光泵浦半导体纳米线，并利用电极施加的静电场调节拉锥光纤与渐变带隙半导体纳米线的接触点的位置，接收到散射点处禁带宽度所对应的波长的输出光。本发明利用静电场控制粘连有高反射率材料的拉锥光纤的空间位置，进而控制其与渐变带隙半导体纳米线接触时产生的散射点的相对位置，通过改变电场有无以及强度，实现半导体纳米线激光器输出宽谱波长双向可逆调谐。
其他摘要	本发明公开一种输出波长双向可逆调谐的半导体纳米线激光器，包括放置在氧化硅衬底上的渐变带隙半导体纳米线和拉锥光纤；所述拉锥光纤的端面放置高反射率材料，所述高反射率材料与渐变带隙半导体纳米线接触形成散射点，且所述拉锥光纤的四周设有电极；所述的半导体纳米线激光器通过脉冲激光泵浦半导体纳米线，并利用电极施加的静电场调节拉锥光纤与渐变带隙半导体纳米线的接触点的位置，接收到散射点处禁带宽度所对应的波长的输出光。本发明利用静电场控制粘连有高反射率材料的拉锥光纤的空间位置，进而控制其与渐变带隙半导体纳米线接触时产生的散射点的相对位置，通过改变电场有无以及强度，实现半导体纳米线激光器输出宽谱波长双向可逆调谐。
申请日期	2016-02-29
专利号	CN105633794A
专利状态	授权
申请号	CN201610112643.4
公开（公告）号	CN105633794A
IPC 分类号	H01S5/04 \| H01S5/10 \| H01S5/30
专利代理人	胡红娟
代理机构	杭州天勤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90240
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	浙江大学
推荐引用方式 GB/T 7714	杨青,诸葛明华,杨宗银,等. 一种输出波长双向可逆调谐的半导体纳米线激光器. CN105633794A[P]. 2016-06-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105633794A.PDF（152KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文