Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | |
| 其他题名 | 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 |
| 李国强; 王文樑; 朱运农; 杨为家 | |
| 2016-11-23 | |
| 专利权人 | 华南理工大学 |
| 公开日期 | 2016-11-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在ScMgAlO4衬底上的GaN缓冲层，GaN形核层，GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4衬底以(0001)面偏(11‑20)面0.5～1°为外延面。本发明还公开了上述GaN薄膜的制备方法和应用。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时采用了非晶层技术，所以本发明制备的GaN薄膜具有晶体质量好、缺陷密度低等特点。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜，包括依次生长在ScMgAlO4衬底上的GaN缓冲层，GaN形核层，GaN非晶层以及GaN薄膜。所述ScMgAlO4衬底以(0001)面偏(11‑20)面0.5～1°为外延面。本发明还公开了上述GaN薄膜的制备方法和应用。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时采用了非晶层技术，所以本发明制备的GaN薄膜具有晶体质量好、缺陷密度低等特点。 |
| 申请日期 | 2016-08-29 |
| 专利号 | CN106158592A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201610754974 |
| 公开（公告）号 | CN106158592A |
| IPC 分类号 | H01L21/02 | H01L31/18 | H01L31/0304 | H01L33/00 | H01L33/32 | H01S5/323 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 罗观祥 |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90234 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国强,王文樑,朱运农,等. 生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用. CN106158592A[P]. 2016-11-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106158592A.PDF（113KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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