Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 水汽探测用激光芯片的制造方法 | |
| 其他题名 | 水汽探测用激光芯片的制造方法 |
| 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩 | |
| 2012-02-29 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-02-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种水汽探测用激光芯片的制造方法，包括如下步骤：步骤1：在n型InP衬底上依次外延生长InP缓冲层、下波导层、多量子阱结构、上波导层和p-n反型层；步骤2：采用全息曝光法在p-n反型层和上波导层上制作复耦合光栅；步骤3：在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p-InP盖层、刻蚀停止层、第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层；步骤4：在第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构，并大面积淀积二氧化硅层；步骤5：刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层，形成窗口；步骤6：在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。 |
| 其他摘要 | 一种水汽探测用激光芯片的制造方法，包括如下步骤：步骤1：在n型InP衬底上依次外延生长InP缓冲层、下波导层、多量子阱结构、上波导层和p-n反型层；步骤2：采用全息曝光法在p-n反型层和上波导层上制作复耦合光栅；步骤3：在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p-InP盖层、刻蚀停止层、第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层；步骤4：在第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构，并大面积淀积二氧化硅层；步骤5：刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层，形成窗口；步骤6：在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。 |
| 申请日期 | 2011-11-10 |
| 专利号 | CN102364771A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201110355379.4 |
| 公开（公告）号 | CN102364771A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90226 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于红艳,周旭亮,邵永波,等. 水汽探测用激光芯片的制造方法. CN102364771A[P]. 2012-02-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102364771A.PDF（372KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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