一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法

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	一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法
其他题名	一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法
	王磊; 肖希; 陈代高; 李淼峰; 杨奇; 余少华
	2017-05-31
专利权人	武汉邮电科学研究院
公开日期	2017-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法，该硅基可调谐激光器包括半导体光放大器、SOI晶圆以及设置在SOI晶圆上依次相互连接的耦合器、TE0模波导、模式变换器、第一取样光栅和第二取样光栅，第一、第二取样光栅间隔连接；耦合器将半导体光放大器输出的光场传输至TE0模波导，得到TE0模的光场；模式变换器将TE0模的光场变换为有效折射率小于TE0模的新模式的光场；第一、第二取样光栅将新模式的光场反射回半导体光放大器。本发明不需要采用更精密的加工手段，大大降低了工艺成本，而且工艺稳定性更高，同时，第一、第二取样光栅在同一条波导上，可省去光分路器，降低复杂度。
其他摘要	本发明公开了一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法，该硅基可调谐激光器包括半导体光放大器、SOI晶圆以及设置在SOI晶圆上依次相互连接的耦合器、TE0模波导、模式变换器、第一取样光栅和第二取样光栅，第一、第二取样光栅间隔连接；耦合器将半导体光放大器输出的光场传输至TE0模波导，得到TE0模的光场；模式变换器将TE0模的光场变换为有效折射率小于TE0模的新模式的光场；第一、第二取样光栅将新模式的光场反射回半导体光放大器。本发明不需要采用更精密的加工手段，大大降低了工艺成本，而且工艺稳定性更高，同时，第一、第二取样光栅在同一条波导上，可省去光分路器，降低复杂度。
申请日期	2016-12-23
专利号	CN106785901A
专利状态	授权
申请号	CN201611205957.5
公开（公告）号	CN106785901A
IPC 分类号	H01S5/065
专利代理人	王卫东
代理机构	北京捷诚信通专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90225
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	武汉邮电科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	王磊,肖希,陈代高,等. 一种基于模式变换器的硅基可调谐激光器及其实现方法. CN106785901A[P]. 2017-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106785901A.PDF（102KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文