光泵浦半导体芯片以及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	光泵浦半导体芯片以及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统
其他题名	光泵浦半导体芯片以及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统
	严基荣; 金哲会
	2007-02-28
专利权人	上海乐金广电电子有限公司
公开日期	2007-02-28
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明是有关光泵浦半导体芯片及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统的，光泵浦半导体芯片在基板的上部形成第一电流阻挡层(Current blocking layer)；在上述第一电流阻挡层上部层积了多个InGaN吸收层；在每一个InGaN吸收层之间都插入了比上述吸收层多IN的InGaN量子井层；上述吸收层的最上面的吸收层上部形成第二电流阻挡层；上述第二电流阻挡层上部形成DDR(Distributed Bragg Reflection)反射镜。接着，本发明可以达到的效果是：由InGaN形成光泵浦半导体芯片的吸收层和量子井层，不使用现有的第二次高调波物质，可以实现可视光激光。
其他摘要	本发明是有关光泵浦半导体芯片及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统的，光泵浦半导体芯片在基板的上部形成第一电流阻挡层(Current blocking layer)；在上述第一电流阻挡层上部层积了多个InGaN吸收层；在每一个InGaN吸收层之间都插入了比上述吸收层多IN的InGaN量子井层；上述吸收层的最上面的吸收层上部形成第二电流阻挡层；上述第二电流阻挡层上部形成DDR(Distributed Bragg Reflection)反射镜。接着，本发明可以达到的效果是：由InGaN形成光泵浦半导体芯片的吸收层和量子井层，不使用现有的第二次高调波物质，可以实现可视光激光。
申请日期	2005-08-24
专利号	CN1921248A
专利状态	失效
申请号	CN200510029030
公开（公告）号	CN1921248A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/323 \| H01S5/10 \| H01S5/024 \| H01S5/00 \| H01S3/0941
专利代理人	陈亮
代理机构	上海专利商标事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90205
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	上海乐金广电电子有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	严基荣,金哲会. 光泵浦半导体芯片以及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统. CN1921248A[P]. 2007-02-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1921248A.PDF（404KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文