Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 基于SOI材料的悬空谐振光子器件及其制备方法 | |
| 其他题名 | 基于SOI材料的悬空谐振光子器件及其制备方法 |
| 王永进; 朱洪波 | |
| 2012-07-11 | |
| 专利权人 | 南京邮电大学 |
| 公开日期 | 2012-07-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种基于SOI材料的悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为SOI晶片，从上到下依次包括顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层，所述硅衬底层具有一个贯穿至所述氧化埋层下表面的长方体空腔；所述顶层硅器件层位于空腔上方的部分具有纳米光子器件结构。本发明还公开了一种基于SOI材料的悬空谐振光子器件的制备方法。本发明所设计的基于SOI材料的悬空谐振光子器件及其制作方法能够实现光波与悬空光子器件的交互作用，便于与硅微电子技术集成，实现集成硅基光电子器件。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种基于SOI材料的悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为SOI晶片，从上到下依次包括顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层，所述硅衬底层具有一个贯穿至所述氧化埋层下表面的长方体空腔；所述顶层硅器件层位于空腔上方的部分具有纳米光子器件结构。本发明还公开了一种基于SOI材料的悬空谐振光子器件的制备方法。本发明所设计的基于SOI材料的悬空谐振光子器件及其制作方法能够实现光波与悬空光子器件的交互作用，便于与硅微电子技术集成，实现集成硅基光电子器件。 |
| 申请日期 | 2011-12-26 |
| 专利号 | CN102570312A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201110441604.6 |
| 公开（公告）号 | CN102570312A |
| IPC 分类号 | H01S5/50 |
| 专利代理人 | 许方 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90200 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王永进,朱洪波. 基于SOI材料的悬空谐振光子器件及其制备方法. CN102570312A[P]. 2012-07-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102570312A.PDF（2841KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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