基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法

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	基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法
其他题名	基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法
	王莉娟; 喻颖; 査国伟; 徐建星; 倪海桥; 牛智川
	2014-01-22
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2014-01-22
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括：GaAs衬底；在该GaAs衬底上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有源区(5)和高折射率对比度光栅(低折射率(7)和高折射率材料(8))。在该外延片上采用标准光刻技术及ICP技术刻蚀露出GaAs缓冲层作为N型欧姆欧姆接触层，然后分别在高折射率材料和GaAs缓冲层上蒸发合金作为P型电极和N型电极。利用电子束曝光和ICP刻蚀技术在高折射率材料上制作亚微米级光栅，利用腐蚀液选择性腐蚀光栅下层的材料，得到低折射率的空气层。
其他摘要	本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括：GaAs衬底；在该GaAs衬底上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有源区(5)和高折射率对比度光栅(低折射率(7)和高折射率材料(8))。在该外延片上采用标准光刻技术及ICP技术刻蚀露出GaAs缓冲层作为N型欧姆欧姆接触层，然后分别在高折射率材料和GaAs缓冲层上蒸发合金作为P型电极和N型电极。利用电子束曝光和ICP刻蚀技术在高折射率材料上制作亚微米级光栅，利用腐蚀液选择性腐蚀光栅下层的材料，得到低折射率的空气层。
申请日期	2013-10-25
专利号	CN103532010A
专利状态	授权
申请号	CN201310509314.X
公开（公告）号	CN103532010A
IPC 分类号	H01S5/125 \| H01S5/343
专利代理人	宋焰琴
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90194
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王莉娟,喻颖,査国伟,等. 基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法. CN103532010A[P]. 2014-01-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103532010A.PDF（598KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文