波长可调的可见电抽运随机激射器件及制备方法

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	波长可调的可见电抽运随机激射器件及制备方法
其他题名	波长可调的可见电抽运随机激射器件及制备方法
	马向阳; 田野; 杨德仁
	2012-07-04
专利权人	浙江大学
公开日期	2012-07-04
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种波长可调的可见电抽运随机激射器件及制备方法，该器件的制备方法包括：采用溅射法在衬底上沉积CdZnO薄膜，再在惰性气体气氛下进行快速热处理；采用溶胶-凝胶法在CdZnO薄膜上沉积SiO2薄膜；采用溅射法在SiO2薄膜上沉积半透明Au电极，在衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明以CdZnO薄膜为主要材料，同时在沉积CdZnO薄膜后对其进行快速热处理，制备得到了Au/SiO2/CdZnO MIS结构的电抽运随机激射器件。该器件在一定的正向偏压下能够发出位于可见区的电抽运随机激射；且根据不同的快速热处理温度，其随机激射带的中心波长在485nm～430nm范围内可调节。本发明器件的结构和实现方式简单，制备工艺及所用的设备与现行成熟的硅器件工艺兼容。
其他摘要	本发明公开了一种波长可调的可见电抽运随机激射器件及制备方法，该器件的制备方法包括：采用溅射法在衬底上沉积CdZnO薄膜，再在惰性气体气氛下进行快速热处理；采用溶胶-凝胶法在CdZnO薄膜上沉积SiO2薄膜；采用溅射法在SiO2薄膜上沉积半透明Au电极，在衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明以CdZnO薄膜为主要材料，同时在沉积CdZnO薄膜后对其进行快速热处理，制备得到了Au/SiO2/CdZnO MIS结构的电抽运随机激射器件。该器件在一定的正向偏压下能够发出位于可见区的电抽运随机激射；且根据不同的快速热处理温度，其随机激射带的中心波长在485nm～430nm范围内可调节。本发明器件的结构和实现方式简单，制备工艺及所用的设备与现行成熟的硅器件工艺兼容。
申请日期	2011-12-30
专利号	CN102545053A
专利状态	失效
申请号	CN201110456104.X
公开（公告）号	CN102545053A
IPC 分类号	H01S5/30
专利代理人	胡红娟
代理机构	杭州天勤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90191
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	浙江大学
推荐引用方式 GB/T 7714	马向阳,田野,杨德仁. 波长可调的可见电抽运随机激射器件及制备方法. CN102545053A[P]. 2012-07-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102545053A.PDF（454KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文