一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法
其他题名	一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法
	秦国刚; 洪涛; 李艳平; 冉广照; 陈娓兮
	2011-11-16
专利权人	北京大学
公开日期	2011-11-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本激光器包括刻蚀有键合区和光耦合区的SOI层；SOI层上设有一多区层，多区层从左到右依次为键合用聚合物、硅阻挡墙、空气隙、硅波导、空气隙、硅阻挡墙、键合用聚合物；多区层上设有n型III-V族材料层；n型III-V族材料层上与硅波导对应部位设有一多层结构，多层结构从下至上依次为第一SCH层、MQW层、第二SCH层、p型III-V族材料层、p型腐蚀阻挡层、p型欧盟接触层；在n型III-V族材料层上多层结构左右两侧分别有一n型III-V族材料的欧姆接触层。本激光器可作为硅基光源应用于单片硅基光电集成，易于制备、成本低。
其他摘要	本发明公开了一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法，属于硅基光电子器件领域。本激光器包括刻蚀有键合区和光耦合区的SOI层；SOI层上设有一多区层，多区层从左到右依次为键合用聚合物、硅阻挡墙、空气隙、硅波导、空气隙、硅阻挡墙、键合用聚合物；多区层上设有n型III-V族材料层；n型III-V族材料层上与硅波导对应部位设有一多层结构，多层结构从下至上依次为第一SCH层、MQW层、第二SCH层、p型III-V族材料层、p型腐蚀阻挡层、p型欧盟接触层；在n型III-V族材料层上多层结构左右两侧分别有一n型III-V族材料的欧姆接触层。本激光器可作为硅基光源应用于单片硅基光电集成，易于制备、成本低。
申请日期	2011-05-27
专利号	CN102244367A
专利状态	失效
申请号	CN201110140205.6
公开（公告）号	CN102244367A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/323
专利代理人	余长江
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90185
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	秦国刚,洪涛,李艳平,等. 一种选区聚合物键合硅基混合激光器及其制备方法. CN102244367A[P]. 2011-11-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102244367A.PDF（6254KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文