Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 | |
| 其他题名 | 大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法 |
| 罗帅; 季海铭; 杨涛 | |
| 2015-05-20 | |
| 专利权人 | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 公开日期 | 2015-05-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一InP衬底；步骤2：在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；步骤3：在InP盖层上外延Zn扩散缓冲层；步骤4：在Zn扩散缓冲层上外延Zn掺杂InP上包层、梯度层及InGaAs接触层，完成制备。本发明可以实现量子阱激光器波长大范围的调谐。 |
| 其他摘要 | 一种大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一InP衬底；步骤2：在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；步骤3：在InP盖层上外延Zn扩散缓冲层；步骤4：在Zn扩散缓冲层上外延Zn掺杂InP上包层、梯度层及InGaAs接触层，完成制备。本发明可以实现量子阱激光器波长大范围的调谐。 |
| 申请日期 | 2015-03-13 |
| 专利号 | CN104638516A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN20151011167X |
| 公开（公告）号 | CN104638516A |
| IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90157 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 江苏华兴激光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗帅,季海铭,杨涛. 大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法. CN104638516A[P]. 2015-05-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104638516A.PDF（446KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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