一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法

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	一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法
其他题名	一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法
	黄小辉; 周德保; 杨东; 黄炳源; 康建; 梁旭东
	2012-12-26
专利权人	圆融光电科技股份有限公司
公开日期	2012-12-26
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法，包括如下步骤：（1）在导电衬底表面预通入一层金属源反应物；（2）实施退火形成金属岛状颗粒；（3）通入III族和V族反应物，外延生长半导体纳米柱阵列；（4）使半导体纳米柱侧向生长加快，并在源物质中掺入N型杂质，形成表面为N型的半导体纳米柱阵列；（5）在纳米柱表面以及纳米柱之间的导电衬底暴露表面上沉积一层绝缘层，并使用刻蚀液刻蚀纳米柱侧壁上的绝缘层；（6）在纳米柱表面形成纳米柱阵列器件；（7）在纳米柱阵列之间填充导电物质，形成电极层；（8）在电极层中制作P型电极，导电衬底上制作N型电极。
其他摘要	一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法，包括如下步骤：（1）在导电衬底表面预通入一层金属源反应物；（2）实施退火形成金属岛状颗粒；（3）通入III族和V族反应物，外延生长半导体纳米柱阵列；（4）使半导体纳米柱侧向生长加快，并在源物质中掺入N型杂质，形成表面为N型的半导体纳米柱阵列；（5）在纳米柱表面以及纳米柱之间的导电衬底暴露表面上沉积一层绝缘层，并使用刻蚀液刻蚀纳米柱侧壁上的绝缘层；（6）在纳米柱表面形成纳米柱阵列器件；（7）在纳米柱阵列之间填充导电物质，形成电极层；（8）在电极层中制作P型电极，导电衬底上制作N型电极。
申请日期	2012-09-10
专利号	CN102842662A
专利状态	授权
申请号	CN201210330312.X
公开（公告）号	CN102842662A
IPC 分类号	H01L33/02 \| H01L33/00 \| H01S5/343
专利代理人	孙佳胤
代理机构	上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90148
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	圆融光电科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	黄小辉,周德保,杨东,等. 一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法. CN102842662A[P]. 2012-12-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102842662A.PDF（904KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文