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斜腔半导体光放大器的耦合方法
其他题名斜腔半导体光放大器的耦合方法
于丽娟; 王玮钰; 袁海庆; 刘建国; 祝宁华
2015-04-15
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2015-04-15
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种斜腔半导体光放大器的耦合方法,包括以下步骤:步骤1:根据半导体光放大器芯片中的斜波导的倾斜角计算光的出射角;步骤2:以出射角顺时针旋转半导体光放大器的芯片,使出射光为水平方向;步骤3:芯片出射光的耦合光纤分别对准芯片两端腔面的出射光方向;步骤4:固定两端的耦合光纤,使光纤对准波导的出光方向,完成耦合。本发明能够高效耦合斜腔半导体光放大器芯片,具有结构简单和方便适用的特点。
其他摘要一种斜腔半导体光放大器的耦合方法,包括以下步骤:步骤1:根据半导体光放大器芯片中的斜波导的倾斜角计算光的出射角;步骤2:以出射角顺时针旋转半导体光放大器的芯片,使出射光为水平方向;步骤3:芯片出射光的耦合光纤分别对准芯片两端腔面的出射光方向;步骤4:固定两端的耦合光纤,使光纤对准波导的出光方向,完成耦合。本发明能够高效耦合斜腔半导体光放大器芯片,具有结构简单和方便适用的特点。
申请日期2014-12-17
专利号CN104518425A
专利状态失效
申请号CN201410784618.1
公开(公告)号CN104518425A
IPC 分类号H01S5/06
专利代理人任岩
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90134
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
于丽娟,王玮钰,袁海庆,等. 斜腔半导体光放大器的耦合方法. CN104518425A[P]. 2015-04-15.
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CN104518425A.PDF(279KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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