Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| III族氮化物发光器件 | |
| 其他题名 | III族氮化物发光器件 |
| M.J.格伦德曼恩; N.F.加德纳; W.K.戈伊茨; M.B.麦克劳林; J.E.埃普勒; F.A.利昂 | |
| 2013-06-26 | |
| 专利权人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 公开日期 | 2013-06-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种器件包括衬底(10)和生长在衬底上的III族氮化物结构(15)，该III族氮化物结构包括布置在n型区域(14)和p型区域(18)之间的发光层(16)。该衬底为RAO3(MO)n，其中R为三价阳离子Sc、In、Y和镧系元素其中之一；A为三价阳离子Fe(III)、Ga和Al其中之一；M为二价阳离子Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd其中之一；并且n为≥1的整数。该衬底具有面内晶格常数a衬底。该III族氮化物结构中的至少一个III族氮化物层具有体晶格常数a层，使得[(|a衬底_-a层|)/a衬底]*100%不大于1%。 |
| 其他摘要 | 一种器件包括衬底(10)和生长在衬底上的III族氮化物结构(15)，该III族氮化物结构包括布置在n型区域(14)和p型区域(18)之间的发光层(16)。该衬底为RAO3(MO)n，其中R为三价阳离子Sc、In、Y和镧系元素其中之一；A为三价阳离子Fe(III)、Ga和Al其中之一；M为二价阳离子Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd其中之一；并且n为≥1的整数。该衬底具有面内晶格常数a衬底。该III族氮化物结构中的至少一个III族氮化物层具有体晶格常数a层，使得[(|a衬底_-a层|)/a衬底]*100%不大于1%。 |
| 申请日期 | 2011-10-27 |
| 专利号 | CN103180973A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201180052905.8 |
| 公开（公告）号 | CN103180973A |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01L33/12 | H01L33/32 | H01L21/02 | H01S5/02 | H01S5/183 | H01S5/343 | H01L33/10 |
| 专利代理人 | 李亚非 | 汪扬 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90130 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | M.J.格伦德曼恩,N.F.加德纳,W.K.戈伊茨,等. III族氮化物发光器件. CN103180973A[P]. 2013-06-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103180973A.PDF（1365KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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