Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 分布反馈式激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | 分布反馈式激光器及其制备方法 |
| 王火雷; 米俊萍; 于红艳; 丁颖; 王宝军; 边静; 王圩; 潘教青 | |
| 2014-01-29 | |
| 专利权人 | 湖北航星光电科技股份有限公司 |
| 公开日期 | 2014-01-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括：N型GaAs衬底；以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中，P型AlGaAs上限制层经刻蚀形成其至少一侧具有边墙光栅的脊形波导。本发明分布反馈式激光器中，由于将光栅刻蚀在脊形波导的侧面，从而可以一次性外延所有层，AlGaAs材料不会暴露在空气中，从而不会产生Al氧化问题，进而可有效提高激光器的功率和寿命。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括：N型GaAs衬底；以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中，P型AlGaAs上限制层经刻蚀形成其至少一侧具有边墙光栅的脊形波导。本发明分布反馈式激光器中，由于将光栅刻蚀在脊形波导的侧面，从而可以一次性外延所有层，AlGaAs材料不会暴露在空气中，从而不会产生Al氧化问题，进而可有效提高激光器的功率和寿命。 |
| 申请日期 | 2013-10-22 |
| 专利号 | CN103545711A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201310498595.3 |
| 公开（公告）号 | CN103545711A |
| IPC 分类号 | H01S5/12 | H01S5/125 |
| 专利代理人 | 曹玲柱 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90126 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 湖北航星光电科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王火雷,米俊萍,于红艳,等. 分布反馈式激光器及其制备方法. CN103545711A[P]. 2014-01-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103545711A.PDF（874KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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