Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 紫外及可见并存的电抽运随机激射器件及制备方法 | |
| 其他题名 | 紫外及可见并存的电抽运随机激射器件及制备方法 |
马向阳; 田野 ; 杨德仁
| |
| 2011-12-21 | |
| 专利权人 | 浙江大学 |
| 公开日期 | 2011-12-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种紫外及可见并存的电抽运随机激射器件及制备方法，该器件包括衬底，衬底正面自下而上依次沉积有第一SiO2薄膜、CdO薄膜、ZnO薄膜、第二SiO2薄膜和Au电极，衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明器件在衬底上形成了SiO2/ZnO/CdO/SiO2双势垒结构，由于镉、锌的互扩散，ZnO/CdO两薄膜层构成了Cd浓度渐变的CdxZn1-xO薄膜发光层，在一定的正向偏压下(衬底接负电压)，CdZnO薄膜能够发出位于紫外、可见区的电抽运随机激射。而且器件的结构和实现方式简单，制备工艺及所用的设备与现行成熟的硅器件工艺兼容。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种紫外及可见并存的电抽运随机激射器件及制备方法，该器件包括衬底，衬底正面自下而上依次沉积有第一SiO2薄膜、CdO薄膜、ZnO薄膜、第二SiO2薄膜和Au电极，衬底背面沉积欧姆接触电极。本发明器件在衬底上形成了SiO2/ZnO/CdO/SiO2双势垒结构，由于镉、锌的互扩散，ZnO/CdO两薄膜层构成了Cd浓度渐变的CdxZn1-xO薄膜发光层，在一定的正向偏压下(衬底接负电压)，CdZnO薄膜能够发出位于紫外、可见区的电抽运随机激射。而且器件的结构和实现方式简单，制备工艺及所用的设备与现行成熟的硅器件工艺兼容。 |
| 申请日期 | 2011-07-12 |
| 专利号 | CN102290707A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201110194585.1 |
| 公开（公告）号 | CN102290707A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 胡红娟 |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90102 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 浙江大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马向阳,田野,杨德仁. 紫外及可见并存的电抽运随机激射器件及制备方法. CN102290707A[P]. 2011-12-21. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102290707A.PDF（339KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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